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了解記憶體的設定後.要最佳化還是超頻都是自然而然的事情了
TOM'S的文章
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如何在BIOS中調整你的RAM
主機板的BIOS清單中提供了很多的設定，你可以用來將你的記憶體作最佳化。這些設定可以用來調校RAM的功能，不過基本上，這些功能經常以不同的名稱出現。我們將會簡短的解釋這些設定選項。在括弧中的是這個設定可以選用的值，理想值則是以底線標註。我們也將不同BIOS版本，但是功能相同的選項名稱放在一起。不過請注意，並不是所有的BIOS清單都提供所有的設定選項。
Automatic Configuration「自動設定」（On/ Off）
（DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring）如果你要手動調整你的記憶體時序，你必須關閉這個讓電腦為你設定的功能。
Bank Interleaving（Off/ 2/ 4）
（Bank Interleave）DDR RAM的記憶體晶片是由4個Bank所組成。經由Interleaving，同時對4個Bank作定址，可以將效能提升到最高。
Burst Length「爆發長度」（4/ 8）
這個選項所決定的是，在一個傳輸循環中，要送出多少資料區塊。理想上，在目前Pentium 4和超微Athlon XP的中央處理器的L2 Cache（L2 快取）上，一次傳輸會填入一個記憶體列。一個記憶體列等於64位元，或者是說8個資料封包（Data Packet）。
CAS Latency tCL「行位址控制器延遲時間」（1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0）
（CAS Latency Time、CAS Timing Delay）從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需的時脈循環數。記憶體製造商將最佳的可能設定值以CL Rating的方式作列表。
Command Rate CMD（1/ 2）
（Command Rate、MA 1T/2T Select）以要求的資料區間來定址記憶體模組和記憶體晶片所需的時脈循環數。如果你的記憶體插槽已經全部插滿，你必須將這個比值調整到2，不過這樣會使得效能明顯下降。
RAS Precharge Time tRP「列位址控制器預充電時間」（2/ 3）
（RAS Precharge、Precharge to active）對迴路作預充電所需的時脈循環數，以決定列位址。
RAS-to-CAS Delay tRCD「列位址至行位址延遲時間」（2/ 3/ 4/ 5）
（RAS to CAS Delay、Active to CMD）在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時脈循環數。將這個設定值設成2可以將效能提高最多4%。
Row Active Time tRAS「列動態時間」（5/ 6/ 7）
（Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay）當一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址所造成的延遲。
Memory Clock「記憶體時脈」（100/ 133/ 166/ 200 MHz）
（DRAM Clock）指定記憶體匯流排的時脈速度。這個指定的比率與前級匯流排時脈有關。DDR技術（雙資料率）可以經由實際的匯流排時脈速度把資料率加倍。
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