AMD 939的超频设定大公开，请踊跃参与。谢谢。

以下是发表格式：（请将下面格式覆制后，尽量将各资料填完，然后发文。当然，各主机板
的BIOS内容并不相同，您可适度修改)
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配备
CPU：  
CPU散热器：  
主机板：  
主机板BIOS版本：  
记忆体：  
电源供应器：
机壳：
 
我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：  
记忆体电压：  
主机板晶片组电压：
 
２．CPU设定
FSB BUS Frequency：  
LTD/FSB Frequency Ratio：  
CPU/FSB Frequency Ratio：
 
３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET：  
Command Per Clock (1T/2T)：      
Cas Latency Control     (Tcl)：  
Ras# toCas#delay     (Trcd)：  
Min Ras# Active time   (Tras)：  
Row Precharge time   (Trp)：  
Row Cycle time         (Trc)：  
Row Reflash cycle time (Trfc)：  
Row to Row delay     (Trrd)：  
Write recovery time   (Twr)：  
Write to Read delay   (Twtr)：  
Read to Write delay   (Trwt)：  

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１．力邀您公开AMD ATHLON64 939超频设定，供大家参考。
　　许多想学超频的朋友，不知如何着手。一一说明，太难了。如果您不吝将您的超频设定
　　公开，一方面，可让朋友们分享您的心得；　再方面，又可无形中指导、传授想学超频
　　的朋友。
２．想学超频的朋友，或早已是超频的高手，可针对特定的超频设定，提出询问，也请原作
　　者回覆，以便更多朋友学会超频。
３．非「AMD ATHLON64 939」的超频高手，欢迎您参考本楼，另开专题，做其他CPU的超
  频设定大调查。
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发表方式：
１．请将上面的「发表格式」覆制后，再依您的主机板BIOS内容适度加减修改，并将各数据尽
  可能详细填写，然后发文。
２．敬请将您的记忆体厂牌、规格、型号及大小，尽可能详细列明，因为，这与数值设定，
　　关系最为重大。谢谢。
３．千万拜托：只能善意追问某一设定，请绝对不要恶意质疑或怀疑别人的超频成果。谢谢。
４．一人可将不同的设定或不同的平台，重覆发表文章。

＊＊＊＊＊＊下面的第一楼是小弟的超频设定，请指导。

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图 1.


我的AMD 939的超频设定：(请参考上面图表）

配备
CPU： AMD 939 x2 44OO  
CPU散热器：XP90C  
主机板： DFI NF4 SLI-DR  
主机板BIOS版本：704-2(BETA)  
记忆体：芝奇BH-5终极华邦512*2  
电源供应器：AC-BEL(康舒)500W
机壳：极光大帝

我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：1.504  
记忆体电压： 3.40V  
主机板晶片组电压：1.50V

２．CPU设定
FSB BUS Frequency：250  
LTD/FSB Frequency Ratio： 3.0
CPU/FSB Frequency Ratio：11

３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET： 200(RAM/FSB:01/01)  
Command Per Clock (1T/2T)：ENABLE(即1T)    
Cas Latency Control   (Tcl)： 2.0  
Ras# toCas#delay   (Trcd)： 02  
Min Ras# Active time (Tras)： 05  
Row Precharge time   (Trp)： 02  
Row Cycle time     (Trc)： 07  
Row Reflash cycle time(Trfc)：15  
Row to Row delay   (Trrd)： 03  
Write recovery time   (Twr)： 03  
Write to Read delay (Twtr)： 02  
Read to Write delay (Trwt)： 03

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754可以来参一脚吗??

CPU：Turion 64 ML-40
CPU散热器：XP-90 + Y-500
主机板：DFI LP UT nF3 250GB
主机板BIOS版本：0504
记忆体：芝奇 TCC5 512X2 + 散热铜片
电源供应器：ZIPPY 500W
机壳：智拓机壳

我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：1.375V (此版会偷降压0.025 怪耶 )
CPU电压增幅:104%
记忆体电压：2.8V
主机板晶片组电压：1.6V (晶片散热使用太业北桥铜柱 + Y-500)
２．CPU设定
FSB BUS Frequency：250
LTD/FSB Frequency Ratio：AUTO  
CPU/FSB Frequency Ratio： 10

３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET：200 FSB 1:1
Command Per Clock (1T/2T)：ENABLE    
Cas Latency Control   (Tcl)：3
Ras# toCas#delay   (Trcd)：3
Min Ras# Active time   (Tras)：5
Row Precharge time   (Trp)：3
Row Cycle time       (Trc)： 7
Row Reflash cycle time (Trfc)：14  
Row to Row delay   (Trrd)： 2
Write recovery time   (Twr)： 2
Write to Read delay   (Twtr)：2
Read to Write delay   (Trwt)：3  

小弟超频结论
记忆体换TCCD 可上300...不过没小朋友
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ps:原来250GB 要用SATA 3/4街头 才不会被限制阿

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大大 Turion 64 ML-40 原先的频率 是多少呢 ? 相当 INTEL CPU ?

x0

下面是引用gtt于2006-01-10 08:41发表的 :
大大 Turion 64 ML-40 原先的频率 是多少呢 ? 相当 INTEL CPU ?

预设的频率是200*11 也就是2200MHz
工作电压1.35
没有跟intel比较过 AMD算PR+值

这颗笔电级cpu比较桌上型AMD来看
大约是OP148等级...Athlon 64 3700+
因为L2-1MB

以超频后的结果 250*10   3-3-3-5
大约是FX-55的水准...超频幅度15%
借朋友TCCD测试 上300 单通道 2.5-4-3-7
(不过太贵 买不起...他测完就拿回去了 小气 )
如果DFI肯将NF3版再做改良 或者线路设计上多几颗电容
BIOS再改写一次 或许有更好的754奇迹

mark99
未超频 283分
超频   326分

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GSKILL BH-5 512Mb*2(WINBOND) DDR 400/1:1在AMD ATHLON64 939, 小弟的设定, 提供
拥有相同记忆体模组的朋友参考。

测式平台全同一楼，唯有CPU改为AMD 939 (周期 0517 DPMW)。

由下面可发现，华邦BH-5 DDR400，参数调校松或紧，关系其超频幅度，并非最大因素。
电压，才是其超频表现的绝对因素。
...................................................................................................................
记忆体参数设定第一部份：
CPC: 1T
TCL: 2.0
TRCD: 02
TRAS: 05
TRP: 02
TRC: 7
TRFC 15
TRRD: 2
TWR: 2
TWTR: 1
TRWT: 2
TREF: 2560CYCLES

依上述设定，依记忆体电压而不同，其外频最大值的改变如下:
记忆体电压:(另CPU电压之改变，在此略过)
2.7V: 9*220
2.8V: 9*223
2.9V: 9*230
3.0V: 9*236
3.1V: 9*241
3.2V: 9*250
3.3V: 9*262
3.4V: 9*269
3.5V: 9*274
再高电压，小弟没试了。
...................................................................................................................
记忆体参数设定第二部份:
CPC: 1T
TCL: 2.5
TRCD: 03
TRAS: 08
TRP: 03
TRC: 12
TRFC 15
TRRD: 3
TWR: 2
TWTR: 2
TRWT: 2
TREF: 2560CYCLES

依上述设定，依记忆体电压而不同，其外频最大值的改变如下:
记忆体电压:(另CPU电压之改变，在此略过)

2.7V: 9*235
2.8V: 9*241
2.9V: 9*244
3.0V: 9*250
3.1V: 9*255
3.2V: 9*261
3.3V: 9*266
3.4V: 9*272
3.5V: 9*276
再高电压，小弟没试了。
....................................................................................................................
下次公开小弟的GSKILL TCCD DDR600 512Mb*2的参数设定。那电压就没什么改变了。
上面POST的华邦BH-5，果然对电压敏感，不热不发挥，愈高压，愈高兴。真好玩。

关于记忆体，尤其是华邦BH-5，请看下面连结: (此连结是由硬体区朋友超机车大大所提供，
特此致谢。)

http://www.ongood.com.tw/tech/RAM/ram.htm

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下面是引用woolswell于2006-01-11 01:22发表的 :
GSKILL BH-5 512Mb*2(WINBOND) DDR 400/1:1在AMD ATHLON64 939, 小弟的设定, 提供
拥有相同记忆体模组的朋友参考。

测式平台全同一楼，唯有CPU改为AMD 939 (周期 0517 DPMW)。

.......

bh-5电压越高越好玩...超的越高
散热注意好就好...
电压到3.5v就好了..不要在高了
虽然有看过上4.5v的文章
但小弟个人认为是八蜡....

个人经验
使用GA-K8NS Ultra-939
bh-5使用2.7v无法开机 2.8v才可以开机....

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小弟也有BH-5阿
不过是日本制程 华邦晶片 0431
当时委托神迹大在日本当地购买 日本物价还真是高阿
250GB电压只能上3.1V 所以英雄无用武之地
目前正沉睡中.....

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配备
CPU： Athlon64 3000+   939   450 TPBW
CPU散热器：Hyper-6
主机板：技嘉 GA-K8NS Ultra-939
主机板BIOS版本：F9
记忆体：创见．装机后没拆来看过颗粒＠＠
电源供应器：七蒙 ST-350BKV
机壳：请点我

我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：1.40v
记忆体电压：2.8v
主机板晶片组电压：1.50v

２．CPU设定
FSB BUS Frequency：  
LTD/FSB Frequency Ratio：  
CPU/FSB Frequency Ratio：

３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET：  
Command Per Clock (1T/2T)：    
Cas Latency Control   (Tcl)：  
Ras# toCas#delay   (Trcd)：  
Min Ras# Active time   (Tras)：
Row Precharge time   (Trp)：  
Row Cycle time       (Trc)：  
Row Reflash cycle time (Trfc)：  
Row to Row delay   (Trrd)：  
Write recovery time   (Twr)：  
Write to Read delay   (Twtr)：  
Read to Write delay   (Trwt)：

懒的说，直接贴图吧．看图说故事




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配备
CPU： Athlon64 3000+   939
CPU散热器：北极风-CQ8(镀镍版)  
主机板：DFI Lanparty UT NF4-D  
主机板BIOS版本：NFD623-1
记忆体：GSKILL BH-5 512*2 (GH)  
电源供应器：ULTRA-XCONNECT 500W(模组化)
机壳: COOLER MASTER-CENTURION

我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：1.425V  
记忆体电压：3.4V  
主机板晶片组电压：1.5V

２．CPU设定
FSB BUS Frequency：250  
LTD/FSB Frequency Ratio：4X  
CPU/FSB Frequency Ratio：X9

３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET：  
Command Per Clock (1T/2T)：ENABLE 1T    
Cas Latency Control   (Tcl)： 2.0
Ras# toCas#delay   (Trcd)： 02
Min Ras# Active time   (Tras)： 05
Row Precharge time   (Trp)：   02
Row Cycle time       (Trc)：   7
Row Reflash cycle time (Trfc)： 15
Row to Row delay   (Trrd)：   2
Write recovery time   (Twr)：   2
Write to Read delay   (Twtr)： 1
Read to Write delay   (Trwt)： 2

上述值得一提的是cpu的散热器，北极风这款散热器
跟 DFI-LP UT NF4-D 这块主机板还真非常的不合，
不仅背板固定座会卡到锡点，连风扇也是，插头是设计小四 pin
但主机板上的插座是小三 pin且旁边有颗电容靠得很近
硬要插上去就是会卡到电容，为了这个费了我一番功夫...
真是它XXX的

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图 1.

图 2.

图 3.

图 4.

图 5.


小弟直接贴图

目前都是以这样的频率在跑


CPU：   AMD 3000+ oc 9*270
CPU散热器：   intel 0.13a 凤梨扇
主机板：   GA-K8Ns-U939
主机板BIOS版本：   F9
记忆体：   kingston DDR400 512*2 HY BT-D43 *2
电源供应器：Aopen 350W
机壳： 这个机壳的上一个板本 只有面板不一样

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下面是引用EasonHok于2006-01-13 01:43发表的 :
配备
主机板：DFI Lanparty UT NF4-D  
主机板BIOS版本：6.00 PG  
记忆体：GSKILL BH-5 512*2 (GH)  
我的BIOS 设定

记忆体电压：3.4V  
主机板晶片组电压：1.5V

２．CPU设定
FSB BUS Frequency：250  
LTD/FSB Frequency Ratio：4X  
CPU/FSB Frequency Ratio：X9

.......

............................................................................................................

EasonHok大大，想请教
1.您的BIOS版本：6.00 PG   是由何处取得?能否提供小弟试试?因为小弟尚不曾看过该版本。
小弟一般是由下面网页，取得DFI Lanparty UT NF4系主机板的BIOS:
http://www.lejabeach.com/DFI/dfinf4ultra/dfinf4bios.html

如果是用BH-5的记忆体，会用各版的-2版(如623-2BETA, 704-2BETA)，并将记忆体插在黄色
的插槽上。如您肯提供6.00 PG 的BIOS给小弟，小弟会非常感谢。

2.您的CPU设定
FSB BUS Frequency：250  
LTD/FSB Frequency Ratio：4X  
该设定，好像有点研究余地，与小弟学的有些不合:
http://dficlub.net/DFI/viewtopic.php?t=382
http://dficlub.net/DFI/viewtopic.php?t=116

LTD/FSB Frequency Ratio：是否应改为3X呢?

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下面是引用woolswell于2006-01-13 19:46发表的 :

............................................................................................................

EasonHok大大，想请教
1.您的BIOS版本：6.00 PG   是由何处取得?能否提供小弟试试?因为小弟尚不曾看过该版本。
.......

1.关于bios版本，不好意思是小弟一时笔误打成bios的类型，已修正^_^

2.一般建议HTT Link≦１０００,若大于1000会不利于超频，
我想不利于超频，应该是再往上超的情况之下吧
不过小弟现在的250(同步ddr500)已觉得够了，不打算再往上超了。
~感谢您的指教~

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呵呵~考完太爽了~买了4条512--颗粒UCCC的 还不错哈~~可以不加压 可跑到DDR 500 应该可以260MHZ-----
直贴贴图!!~~方便个位了解^^~如有小弟设定地方不当请告知我~让我更上一层楼谢谢--
另外CPU温度-在100%跑2小时 温度最大到 46度 (因为拍图的时候我去煮饭哩=.=..所以没拍到)
配备
CPU：   AMD 3000+ 0524周期
CPU散热器：   XP-90C
主机板：   ASUS A8N-E
主机板BIOS版本： 1010
记忆体：   创见 DDR400 *4 UCCC颗粒
电源供应器：430W 海韵
机壳：擎天大帝

我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：   1.5375
记忆体电压：   2.60 V
主机板晶片组电压：原设定值

２．CPU设定
FSB BUS Frequency：   300
LTD/FSB Frequency Ratio： x3
CPU/FSB Frequency Ratio： x9

３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET： DDR 400 调成333 (除频) 详情请看图!
Command Per Clock (1T/2T)： 2T    
Cas Latency Control   (Tcl)：3T  
Ras# toCas#delay   (Trcd)：4T
Min Ras# Active time   (Tras)：8T
Row Precharge time   (Trp)：4T
Row Cycle time       (Trc)：10T
Row Reflash cycle time (Trfc)：12T
Write recovery time   (Twr)：3T
Read to Write delay   (Trwt)：4T

------------不多说了--直接看图吧---刚刚搞好久还是不能上传图档 怪怪~私人空间QQ








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参考一下国外论坛，在DFI NF4版子上的超频设定连结：

http://www.ocforums.com/showthread.php?t=379317

用不同板子，却用相同记忆体的朋友，还是很值得参考的。

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